真空度:空载极限真空≤5.0e-5Pa,负载≤5.0e-4Pa;
载荷范围:0.1-20N,加载力精度:±1mN;
运行速度:1-200mm/s,精度:±0.1mm/s;
支持微力与较大载荷同系统测量。
电源输入:220V、50Hz、功率 10KW
工作台尺寸(mm):长 x 宽 x 高 1000x750x800(用户自备)
随着半导体技术向3nm 及以下制程快速演进,晶圆制造对表面质量和材料可靠性的要求达到了前所未有的高度。化学机械抛光(CMP)、刻蚀、薄膜沉积等关键工艺中,晶圆与设备部件的摩擦磨损行为直接影响器件性能、良率及设备寿命。高真空晶圆摩擦磨损测试系统,旨在为半导体制造、材料研发及学术研究提供高精度、多场景的测试解决方案,推动先进制程技术突破。通过集成高真空模拟、多参数测量及智能分析模块,构建先进测试平台。支持摩擦系数等多参数实时采集与动态分析。
主要应用于半导体设备制造、晶圆厂及新材料研发领域,可精准研究材料在高真空环境下、从微小到大幅载荷变化中的摩擦性能与寿命特征,助力拓宽材料实际应用场景并提升使用寿命,为先进制程半导体材料可靠性研究提供关键技术支撑。