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专利摘要

本发明公开了一种基于氢氟酸/硝酸混合溶液的摩擦诱导纳米加工方法，包括以下步骤：S1、在大于单晶硅屈服极限的接触压力下利用金刚石探针在单晶硅样品表面进行刻划，对刻划后的单晶硅样品进行清洗以去除表面的磨屑和杂质；S2、将清洗后的单晶硅样品浸入到体积比为1：5～1：100范围内的氢氟酸/硝酸混合溶液中进行刻蚀，刻蚀时间为1～60s，刻蚀完成后取出单晶硅样品，并对其表面再次进行清洗，获得所需单晶硅表面纳米结构。本发明通过巧妙地将摩擦诱导纳米加工工艺整合到基于HF/HNO3溶液的刻蚀体系中，成功地将HF/HNO3这种传统的各向同性刻蚀剂在单晶硅表面进行各向异性刻蚀加工，该项技术方案突破了多年来HF/HNO3在微电子领域一直无法直接刻蚀出纳米结构限制。 ......

基本信息

专利类型:
发明专利
申请/专利号:
CN201811244735.3
申请日期:
2018-10-24
专利申请人:
西南交通大学
分类号:
B81C1/00
发明/设计人:
钱林茂，汪红波，余丙军，蒋淑兰，陈磊，江亮
权利要求: 1.一种基于氢氟酸/硝酸混合溶液的摩擦诱导纳米加工方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、在大于单晶硅屈服极限的接触压力下利用金刚石探针在单晶硅样品表面进行刻划，对刻划后的单晶硅样品进行清洗以去除表面的磨屑和杂质；S2、将清洗后的单晶硅样品浸入到体积比为1：5～1：100范围内的氢氟酸/硝酸混合溶液中进行刻蚀，刻蚀时间为1～60s，刻蚀完成后取出单晶硅样品，并对其表面再次进行清洗，获得所需单晶硅表面纳米结构。2.根据权利要求1所述的基于氢氟酸/硝酸混合溶液的摩擦诱导纳米加工方法，其特征在于：所述步骤S2中，氢氟酸溶液的质量浓度范围为5％～40％；硝酸溶液的质量浓度范围为17％～68％。3.根据权利要求1或2所述的基于氢氟酸/硝酸混合溶液的摩擦诱导纳米加工方法，其特征在于：所述步骤S1中，依次分别采用无水乙醇、二次去离子水对刻划后的单晶硅样品进行超声清洗，清洗时间为5min。4.根据权利要求1或2所述的基于氢氟酸/硝酸混合溶液的摩擦诱导纳米加工方法，其特征在于：所述步骤S2中，依次分别采用无水乙醇、二次去离子水对刻蚀后的单晶硅样品进行超声清洗，清洗时间为5min。