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专利摘要

本发明涉及一种弯管内壁类金刚石碳基涂层沉积方法，该方法包括以下步骤：⑴将弯管工件抛光处理并清洗后，装入等离子体化学气相沉积室的真空腔内；⑵通入氩气，在弯管内壁进行氩等离子体轰击清洗和预热管内壁；⑶引入硅烷，在弯管内壁进行原位等离子体浸没注入硅元素，沉积得到厚度为50~1000 nm的硅中间层；⑷将弯管作为阴极，在管件上施加负脉冲偏压，保持氩气、硅烷气流量不变，交替通入不同流量的乙炔，最终在弯管内壁获得厚度为10~20μm的掺硅类金刚石碳基涂层。本发明方法简单、工艺稳定。 ......

基本信息

专利类型:
发明专利
申请/专利号:
CN202110820226.6
申请日期:
2021-07-20
专利申请人:
中国科学院兰州化学物理研究所
分类号:
C23C16/04;C23C16/02;C23C16/24;C23C16/26;C23C16/50
发明/设计人:
张广安，魏徐兵，尚伦霖
权利要求: 1.一种弯管内壁类金刚石碳基涂层沉积方法，包括以下步骤：⑴将弯管工件抛光处理并清洗后，装入等离子体化学气相沉积室的真空腔内；⑵通入氩气，在弯管内壁进行氩等离子体轰击清洗和预热管内壁；⑶引入硅烷，在弯管内壁进行原位等离子体浸没注入硅元素，沉积得到厚度为50~1000nm的硅中间层；⑷将弯管作为阴极，在管件上施加负脉冲偏压，保持氩气、硅烷气流量不变，交替通入不同流量的乙炔，最终在弯管内壁获得厚度为10~20 μm的掺硅类金刚石碳基涂层。2.如权利要求1所述的一种弯管内壁类金刚石碳基涂层沉积方法，其特征在于：所述步骤⑴中弯管的形状包含直角管和U型管，且其直径为10~100 mm。3.如权利要求1所述的一种弯管内壁类金刚石碳基涂层沉积方法，其特征在于：所述步骤⑵中清洗条件是指对弯管施加5~10 kV的负脉冲偏压，脉冲频率为1~2kHz，氩气流量为100~500 sccm，辉光放电真空压力为4~8 Pa，清洗时间为10~120 min。4.如权利要求1所述的一种弯管内壁类金刚石碳基涂层沉积方法，其特征在于：所述步骤⑶中硅中间层的沉积条件是指在弯管内壁上施加10~20 kV的负脉冲偏压，脉冲频率为1~2 kHz，氩气流量为100~500 sccm，硅烷气流量为50~150 sccm，辉光放电真空压力为10~20Pa，硅元素注入时间为10~60 min。5.如权利要求1所述的一种弯管内壁类金刚石碳基涂层沉积方法，其特征在于：所述步骤⑷中掺硅类金刚石碳基涂层的沉积条件是指在管件上施加负脉冲偏压为500~1500V，脉冲频率为100~1500Hz，氩气流量为100~500 sccm，硅烷气流量为50~150 sccm，乙炔气流量为50~500 sccm，辉光放电真空压力为12~20 Pa，沉积时间为30~300min。