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专利摘要

本发明公开了一种阻性类金刚石碳基薄膜材料的制备方法，该方法适合于采用非平衡直流磁控溅射沉积技术在微结构气体探测器电极基体表面依次通过高能等离子体轰击、刻蚀和溅射高纯石墨靶材而制备类金刚石碳基薄膜材料。通过本发明方法不仅可以制备出厚度均匀性好、膜基结合力强的类金刚石碳基薄膜材料，同时可以调控类金刚石碳基薄膜的面电阻率。本发明方法所制备的阻性类金刚石碳基薄膜材料适合用于制作微结构气体探测器的阻性电极，具有很好的应用前景和价值。 ......

基本信息

专利类型:
发明专利
申请/专利号:
CN201810369646.5
申请日期:
2018-04-24
专利申请人:
中国科学院兰州化学物理研究所
分类号:
C23C14/06;C23C14/35;C23C14/02
发明/设计人:
尚伦霖，周意，吕游，张广安，鲁志斌，刘建北
权利要求: 1.一种阻性类金刚石碳基薄膜材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：1）高纯石墨靶材表面溅射清洗将真空腔室内背底真空预抽至1×10-5 Torr以下，开启脉冲直流电源，施加-500~-50 V梯度变化的偏压，并在高纯石墨靶材上设置3.0~4.0 A的电流，通入流量为15~25 sccm高纯氩气后保持气压为8×10-3~8×10-4 Torr，使电离出的高能氩离子对高纯石墨靶材表面进行溅射清洗20~40分钟；2）待镀基材表面清洁和干燥处理用无水乙醇对聚酰亚胺膜材表面进行擦拭清洁后放置于烘箱中，调至70-100 ℃后烘烤8-12小时；3）待镀基材表面等离子体轰击活化和离子刻蚀将清洁和烘干处理后的待镀基材固定在样品架上，置于磁控溅射真空腔室中，调整位置使待镀基材处于靶材的有效溅射区域内，将腔体真空预抽至2.5×10-5 Torr以下，开启脉冲直流电源，在待镀基材上施加-300~-600V的偏压，通入流量为10~20 sccm的高纯氩气并保持气压为5×10-3~5×10-4 Torr，在样品架为5~10转/分钟的转速下进行等离子体轰击和刻蚀10~20分钟；4）在基材表面制备阻性类金刚石碳基薄膜材料保持工作气压为5×10-3~5×10-4 Torr，样品架转速为5~10转/分钟，调整基底偏压为-50~-30 V，靶电流为0.5~3.5 A，溅射沉积时间为10~150分钟，在基材表面制备阻性类金刚石碳基薄膜材料。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述待镀基材为目前微结构气体探测器广泛使用的电极，其材质为厚度50 μm-200 μm的绝缘聚酰亚胺膜。